ВСЕ транзисторы нерабочего канала выпаивались и не просто прозванивались, а измерялся коэффициент их усиления. Все они оказались целыми. Также замерялись номиналы резисторов. Тоже целые. После добавления недостающих выходных транзисторов, эти каскады обоих каналов работают нормально. Схема подключения блоков выходных транзисторов для прошивки для айфон 2.0.2 - в аттаче 2. После прошивки для айфон 2.0.2 драйверных транзисторов КТ850КТ851 (вместо оригинальных sSB8512SD1138) в оба канала и включения каскада усилителя мощности, как показано в аттаче 3 (перемычки показаны красными пунктирными линиями), в рабочем канале удается сбалансировать выход близко к уровню общей шины, как при перемкнутых с выходной шиной эмиттерах драйверных транзисторов (линия "1"), так и если они разомкнуты.

Ток потребления от внешнего источника питания (2 х 27 В вместо штатного) при этом различается всего на 20 мА. При подаче на вход прошивки для айфон 2.0.2 она усиливается. В нерабочем канале при установке перемычки "1" ток потребления возрастает с 70 до 280 мА и начинает сильно греться резистор R19. Тем не менее, при разомкнутых перемычках "1" выход удается сбалансировать дополнительным переменным резистором R21. На выходе наблюдается усиленная синусоида.

В сбалансированном состоянии токи между коллекторами генераторов тока VT3VD1VD2R4 и VT4VD3VD4R8 и общей шиной практически симметричны и составляют для обеих полярностей и обеих каналов 6,3.